Polysilicon yog ib qho tseem ceeb sputtering cov khoom siv.Siv cov txheej txheem magnetron sputtering los npaj SiO2 thiab lwm cov yeeb yaj kiab nyias tuaj yeem ua rau cov khoom siv matrix muaj cov khoom siv kho qhov muag zoo dua, dielectric thiab corrosion kuj, uas yog dav siv hauv kev tshuaj ntsuam kov, kho qhov muag thiab lwm yam lag luam.
Cov txheej txheem ntawm casting ntev crystals yog kom paub txog cov kev taw qhia solidification ntawm cov kua silicon los ntawm hauv qab mus rau sab saum toj maj mam los ntawm kev tswj qhov kub thiab txias ntawm lub rhaub nyob rau hauv lub kub tshav kub ntawm lub ingot rauv thiab lub tshav kub dissipation ntawm thermal rwb thaiv tsev cov ntaub ntawv, thiab lub solidification ntev crystals ceev yog 0.8 ~ 1.2cm / h.Nyob rau tib lub sijhawm, nyob rau hauv tus txheej txheem ntawm kev taw qhia kev ruaj khov, kev sib cais ntawm cov hlau hauv cov khoom siv silicon tuaj yeem pom tau, feem ntau ntawm cov hlau hlau tuaj yeem ua kom huv, thiab cov qauv polycrystalline silicon grain qauv tuaj yeem tsim.
Casting polysilicon kuj yuav tsum tau txhob txwm doped nyob rau hauv cov txheej txheem ntau lawm, thiaj li yuav hloov lub concentration ntawm acceptor impurities nyob rau hauv silicon yaj.Lub ntsiab dopant ntawm p-hom cam khwb cia polysilicon nyob rau hauv kev lag luam yog silicon boron master alloy, nyob rau hauv uas cov ntsiab lus boron yog hais txog 0.025%.Tus nqi doping yog txiav txim los ntawm lub hom phiaj resistivity ntawm silicon wafer.Qhov zoo tshaj plaws resistivity yog 0.02 ~ 0.05 Ω • cm, thiab qhov sib thooj boron concentration yog hais txog 2 × 1014cm-3. Txawm li cas los xij, qhov sib cais coefficient ntawm boron hauv silicon yog 0.8, uas yuav qhia tau qee yam kev sib cais hauv cov txheej txheem kev sib cais, uas yog, lub ntsiab boron yog faib nyob rau hauv ib tug gradient nyob rau hauv lub ntsug kev taw qhia ntawm lub ingot, thiab cov resistivity maj mam txo los ntawm hauv qab mus rau sab saum toj ntawm lub ingot.
Post lub sij hawm: Lub Xya hli ntuj-26-2022